αMOS E2™ 600V超结MOSFET：以先进封装与增强型体二极管，提升电源能效

采用先进的顶部散热封装工艺的 AOGT037V60DE2 及 AOGT060V60DE2 ，在提升电源功率密度的同时，也确保在严苛工况下的长期运行稳定性，完美匹配高性能电源系统和太阳能逆变器的性能与可靠性需求。

日前，集研发、生产与全球销售于一体的领先功率半导体及芯片解决方案提供商 Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS，纳斯达克代码：AOSL）正式推出了其全新 aMOS E2™ 600V 超结 MOSFET 平台的顶部散热产品AOGT037V60DE2 与 ** AOGT060V60DE2** 。

该平台由 AOS 自主研发，专为满足高压应用对更高能效及功率密度管理能力的迫切需求而打造；两款新品不仅延续了AOS在分立式功率器件、宽禁带功率器件、电源管理IC及模块领域一贯深厚的设计与工艺积淀，更在服务器、工作站、电信整流器、太阳能逆变器、电机驱动器及工业电源系统等众多高压应用场景中表现卓越，为系统工程师们带来了兼具高效率与高可靠性的全新解决方案。

先进工艺技术

全面兼容多种主流拓扑结构

当前高性能开关电源与太阳能逆变器的设计需求，对系统效率、功率密度、成本控制及长期可靠性等综合要求越来越严苛。为此，AOS 推出的顶部散热高压超结 MOSFET，依托先进工艺技术，精准应对这些核心诉求。不仅如此，该系列器件还全面兼容多种主流拓扑结构，如升压 PFC、图腾柱 PFC （慢桥臂）、LLC 谐振变换器、移相全桥（PSFB）及 Cyclo 变换器等，为高要求功率转换场景提供了灵活而可靠的解决方案。

增强型特性协同发力

显著提升功率密度与系统级可靠性

aMOS E2 高压超结 MOSFET 平台兼具卓越的体二极管强度（di/dt高达1500 A/µs）、优异的抗雪崩能力（UIS）和充足的短路耐受时间（SCWT），这些增强型特性显著提升了系统级可靠性，即便在异常工况下也能确保稳定运行。同时，该平台将 aMOS E2 芯片与顶部散热的 GTPAK™ 封装巧妙结合，利用顶部散热垫最大化散热效率，使系统设计人员能够充分优化热管理，同时有效节省 PCB 空间，从而大幅提升整体功率密度。通过电气路径与散热路径的协同优化，该方案不仅显著增强了系统性能，也为长期运行的可靠性提供了坚实保障。

我们推出的采用顶部散热技术的GTPAK系列产品，如AOGT037V60DE2 和 AOGT060V60DE2，专为高性能 AC/DC 电源、DC/DC 转换器及 DC/AC 太阳能逆变器等严苛应用而设计。传统底部散热封装方案在面对电磁干扰（EMI）、散热设计和功率密度难以兼顾，始终是困扰工程师的重大技术挑战；而我们的 aMOS E2 顶部散热解决方案，则为设计人员在中高功率系统中提供了卓越的应对方案，从而显著提升高性能电力基础设施、电源单元及可再生能源系统的整体性能与可靠性。

Simon Yu

AOS高压产品线资深经理

技术亮点

• 顶部散热封装(Top-Side Cooled Package)协同优化电气与热路径，助力实现更高功率密度的紧凑化电源方案。
• 鸥翼式引线设计有效缓解热应力与机械应力，确保在关键任务环境中提供卓越的板级可靠性
• 内置强健的快恢复体二极管 (Fast Body Diode)，显著降低高应力硬开关工况下的反向恢复电荷（Qrr），兼顾效率提升与 EMI 表现优化
• 具备强大的非钳位感性开关（UIS）耐受能力、高浪涌电流承受力以及宽泛的安全工作区（SOA），显著提升器件在严苛瞬态条件下的稳健性
• 通过优化栅极阈值电压与驱动特性，有效抑制寄生导通现象，确保在高速dv/dt动态工况下的可靠性
• 适用于升压 PFC、图腾柱 PFC、LLC谐振变换器、移相全桥(PSFB) 和 临界导通模式(CrCM) H-4/ Cyclo 逆变器应用

关于AOS

Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS，中文：万国半导体） 是专注于设计、开发生产与全球销售一体的功率半导体公司，产品包括Power MOSFET、SiC、GaN、IGBT、IPM、TVS、高压驱动器、功率IC和数字电源产品等。AOS积累了丰富的知识产权和技术经验，涵盖了功率半导体行业的最新进展，使我们能够推出创新产品，满足先进电子设备日益复杂的电源需求。AOS的差异化优势在于通过其先进的分立器件和IC半导体工艺制程、产品设计及先进封装技术相结合，开发出高性能的电源管理解决方案。AOS 的产品组合主要面向高需求应用领域，包括便携式计算机、显卡、数据中心、AI 服务器、智能手机、面向消费类和工业类电机控制、电视、照明设备、汽车电子以及各类设备的电源供应。