AmpStack™ 封装：MOSFET 功率密度实现跨越式提升

AOPL66801采用了半桥配置的创新型垂直堆叠DFN6x5封装技术，通过将上下管MOSFET在垂直方向上进行高密度集成，不仅极大缩减了PCB占用面积，更显著优化了内部开关路径，以紧凑的尺寸释放出卓越的功率处理能力，为各类高功率密度应用场景提供了兼具灵活性与高效率的半导体解决方案。

加利福尼亚州桑尼维尔，2026年7月7日——Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS，纳斯达克代码：AOSL）今日推出全新 AOPL66801 80V MOSFET ，该器件采用半桥配置，并搭载先进的DFN6x5 AmpStack™ MOSFET封装技术。这一突破性封装方案不仅实现了更高密度的设计自由度，更以其卓越的性能表现，全面赋能从下一代兆瓦级AI数据中心到日常电动工具等广泛功率转换场景。

创新型AmpStack™封装技术

集成上下管，构成高度紧凑的半桥电路

AOS日前推出了一款采用先进封装技术的创新产品—— AOPL66801 80V MOSFET ，该产品通过垂直堆叠芯片技术，将上管与下管MOSFET巧妙集成于一体，构成高度紧凑的半桥电路。相较于传统采用两颗独立DFN5x6 MOSFET的方案，这一设计不仅将功率密度提升至全新高度，更大幅释放了宝贵的PCB布板空间，为系统小型化铺平道路。与此同时，AOPL66801针对开关节点特别优化了夹片（clip）设计，有效抑制上下管之间的寄生电感，显著降低由PCB寄生电感引发的相节点电压振铃现象，从而极大缓解MOSFET所承受的电气应力，为高功率密度应用场景提供了更稳健、更高效的功率转换解决方案。

先进特性协同发力

显著提升功率密度与运行效率

针对PCB布局中寄生电感对栅极驱动性能及开关效率的潜在影响，AOPL66801集成了Kelvin检测引脚，可在高di/dt开关瞬态中确保栅极电压保持高度稳定，同时为上管提供更优化的驱动回路路径，从而有效降低功率损耗；此外，该器件支持高达175°C的最高结温，赋予其更出色的热可靠性与性能余量。这些先进特性在系统层面协同发力，不仅显著提升功率密度与运行效率，更为严苛的高功率应用场景提供了坚实而持久的性能保障。

对于致力于提升功率密度的设计工程师而言，我们全新推出的AmpStack™半桥封装无疑是一项革命性突破，其综合性能全面超越采用两颗DFN 5x6分立式封装的传统方案；同时，通过针对低源极寄生电感的优化封装设计，我们显著抑制了相位节点振铃现象并有效降低MOSFET承受的电气应力，这意味着客户在获得更高功率输出的同时，应用可靠性亦将得到实质性的跃升。

Peter Wilson

AOS MOSFET产品线资深总监

技术亮点

关于AOS

Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS，中文：万国半导体） 是专注于设计、开发生产与全球销售一体的功率半导体公司，产品包括Power MOSFET、SiC、GaN、IGBT、IPM、TVS、高压驱动器、功率IC和数字电源产品等。AOS积累了丰富的知识产权和技术经验，涵盖了功率半导体行业的最新进展，使我们能够推出创新产品，满足先进电子设备日益复杂的电源需求。AOS的差异化优势在于通过其先进的分立器件和IC半导体工艺制程、产品设计及先进封装技术相结合，开发出高性能的电源管理解决方案。AOS 的产品组合主要面向高需求应用领域，包括便携式计算机、显卡、数据中心、AI 服务器、智能手机、面向消费类和工业类电机控制、电视、照明设备、汽车电子以及各类设备的电源供应。