专为AI服务器电源优化 | 25V/80V MOSFET双面散热源极朝下封装

新款 MOSFET 专为满足高功率密度及增强型散热应用而设计，采用 DFN 3.3x3.3 双面散热、源极朝下（Source-down）封装，并集成了创新的栅极中置布局技术，能够有效简化 PCB 走线设计，提升系统布板灵活性与电气性能。

日前，集设计研发、生产和全球销售为一体的著名功率半导体及芯片解决方案供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS，纳斯达克代码：AOSL）推出了两款新产品——AONC40202（25V MOSFET）和AONC68816（80V MOSFET）。这两款器件采用了先进的DFN 3.3x3.3双面散热封装技术，源极朝下的设计能够有效提升散热性能。它们专为AI服务器中的中间总线转换器（IBC）DC-DC应用而打造，旨在满足高功率密度需求，并应对数据中心对散热性能的严苛挑战。

AONC40202 和 AONC68816 采用了针对外露漏极触点进行优化的顶部夹片设计，显著增大了双面散热的有效面积，能够更迅速地将热量从散热器中导出，从而有效降低器件运行时的温度。相比传统的单面散热方案，双面散热技术能够从根源上减少热量的产生与热应力，成为设计人员在应对高功耗挑战时的理想选择。得益于配备的大型顶部夹片，这两款 MOSFET 的封装实现了极低的热阻值，其顶部热阻（Rthc-top）最大值仅为 0.9°C/W，确保了在高功率密度应用中的卓越热性能与可靠性。

此外，AONC40202 支持高达 405A 的持续电流，最高结温可达 175°C，这些出色的电气特性为系统级性能带来了多重提升，包括更高效的热管理能力、更高的功率密度支持以及整体运行效率的优化。其采用的“源极朝下”（Source-down）封装技术，不仅增大了 PCB 上的源极接触面积，有助于降低导通电阻和提升散热效果，同时栅极中置的布局设计也大幅简化了 PCB 布线，能够有效缩短栅极驱动器的连接路径，从而进一步提升开关性能和系统可靠性。

随着 AI 服务器对电源性能提出日益严苛的要求，我们推出的这两款最新 MOSFET 正是为了应对这一挑战。它们采用的双面散热 DFN 3.3x3.3 源极朝下（Source-down）封装技术，相较于传统封装方案，在降低功率损耗和提升散热效率方面表现尤为出色。不仅如此，AONC40202 和 AONC68816 还集成了最新的 AlphaSGT™ 硅技术。这种将增强型散热设计与先进硅技术相结合的创新方案，为 AI 电源设计人员提供了一种兼顾高功率密度、优异可制造性与长期应用可靠性的整体解决方案。

——Peter H. Wilson

AOS MOSFET 产品线资深总监

技术亮点

关于AOS

Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS，中文：万国半导体） 是专注于设计、开发生产与全球销售一体的功率半导体公司，产品包括Power MOSFET、SiC、GaN、IGBT、IPM、TVS、高压驱动器、功率IC和数字电源产品等。AOS积累了丰富的知识产权和技术经验，涵盖了功率半导体行业的最新进展，使我们能够推出创新产品，满足先进电子设备日益复杂的电源需求。AOS的差异化优势在于通过其先进的分立器件和IC半导体工艺制程、产品设计及先进封装技术相结合，开发出高性能的电源管理解决方案。AOS 的产品组合主要面向高需求应用领域，包括便携式计算机、显卡、数据中心、AI 服务器、智能手机、面向消费类和工业类电机控制、电视、照明设备、汽车电子以及各类设备的电源供应。请访问AOS官网 www.aosmd.com，了解更多产品相关信息。