UnitedSiC推出具有显著优势的第四代SiC FET

2020年750V第四代SiC FET诞生时，它与650V第三代器件的比较结果令人吃惊，以6毫欧器件为例，品质因数RDS•A降了近一半，由于体二极管反向恢复能量，动态损耗也降了近一半。关闭能量Etot显著降低，而短路耐受时间和体二极管浪涌电流提高到了两倍以上。

这些进步使得SiC FET在效率和成本至关重要的系统中遥遥领先于竞争性技术：IGBT、Si-MOSFET、SiC-MOSFET，甚至GaN，例如在电动车/太阳能逆变器中、电池充电器中、PFC级中以及一般的直流和交直流转换中。在应用中，与其他器件相比，750V额定值是一个有用的新增优势，使其拥有比额定电压通常仅为650V的其他技术器件更大的安全裕度。这甚至能降低要将电压过冲保持在最大额定值内所需的高损耗缓冲，增效节能。
第三代技术提供了1200V和更高额定电压的器件，而现在，UnitedSiC（现名Qorvo）提供了1200V第四代器件，它们具有一系列导通电阻额定值，可满足通常使用800V总线的各种应用的需要。为了能灵活设计，RDS(on)值为23/30/53和70毫欧的产品均以TO-247-4L封装提供，并额外采用开尔文源极连接，满足开关速度极快的应用的需求。53和70毫欧器件还以TO-247-3L封装提供，供重要性略低但对成本更为敏感的设计使用。与750V器件一样，每个器件都有业界出众的导电和动态相关损耗品质因数：RDS•A、RDS(on)•Coss,tr和RDS(on)•Qg。1200V器件还利用在第四代产品中开发出的技术，即先进的单元最大化技术、晶圆减薄技术和银烧结晶粒连接方法。这为器件带来了出色的热能力，符合总线电压较高的系统中较高功率电平的要求以及利用的先进冷却技术的要求。新的UF4C/SC器件经过优化，可用于硬开关应用，如连续导电模式中广受欢迎的图腾柱PFC级。它们还非常适合软开关设计，在此类设计中，SiC FET的低输出电容和低导电损耗都是显著优势。

新1200V器件的一个显而易见的应用是采用800V电池的电动车，它需要车载充电器和辅助直流转换器。当然，新的1200V第四代器件具有SiC FET的既有优势：常关型、栅极驱动轻松、体二极管损耗低和碳化硅固有的强度。

来源：UnitedSiC